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电子元器件详细资料 » IC[27164] » SI7703EDN-T1-E3
型号:SI7703EDN-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C48 毫欧 @ 6.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 800µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装剪切带 (CT)

SI7703EDN-T1-E3相关型号

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